记忆在人工智能解决方案(如机器学习)的培训和实施中起着关键作用。这也是创建先进网络技术的要求，如5G，这将需要在网络边缘以及在终端进行处理和存储，以实现物联网和其他应用。

 

许多主要的半导体铸造厂提供MRAM作为嵌入式应用的非易失性存储器。MRAM可以替代NOR或SRAM，在设备上提供更高密度的非易失性内存。用MRAM替换SRAM可以让AI推理引擎拥有更多的内存(以及非易失性内存)来存储训练好的模型。

 

成功制造非易失性存储产品的关键是良好的设计，蓝冠注册AI允许机器人执行恒定/实时校正并学习生产产品的最佳路径。蓝冠怎么样？他们能够在执行重复且通常很危险的任务时这样做，而这可能会使人的注意力下降。包括设备性能的测试和验证，以及在制造过程中，晶圆和设备层面的质量控制测试。

 

磁性RAM存储器(场或自旋器件)使用一个选择晶体管作为存储单元，参见下面的图1。一个MRAM单元可能有一个专用的晶体管，或者这个晶体管可以在两个存储单元之间共享。在用于MRAM生产之前，必须在晶圆片上创建特定的选择晶体管设计。

 

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今天的MRAM制造可以分为CMOS晶圆片和磁性电池制造步骤(在CMOS晶圆工艺的后端完成)。CMOS晶圆可能由半导体铸造厂提供，而磁性电池的制造是在专用的晶圆厂完成的，使用的工具通常在半导体铸造厂是不可用的，尽管这可能会随着MRAM在铸造厂变得更加普遍而改变。

 

今天的CMOS晶圆制造是在生产线的前端(FEOL)进行的，而磁层制造是在生产线的后端(BEOL)进行的。这是普遍的做法，它帮助独立的MRAM公司通过允许他们外包CMOS制造来降低设备成本。它还将用于磁性层的材料(否则可能被认为是污染物)保留在CMOS铸造之外。

 

铸造厂提供的CMOS晶圆是用金属螺柱来连接导体和MTJ元件，到2019年，蓝冠官网电子竞技的全球收入预计将超过10亿美元，蓝冠代理比去年增长27％，到2022年的潜在收入将达到18亿美元。CMOS晶圆的表面通过化学机械抛光(CMP)进行光滑处理。通常情况下，磁性设备存放金属写/读/选择导体、MTJ材料、顶部电极和任何需要的磁屏蔽。由于磁性层中使用的材料可能与CMOS处理不兼容，因此磁性层的图形化通常由磁性后端设备执行。图2显示了CMOS和磁性层的基本结构。

 

MRAM内存制造过程流图像来自COUGHLIN公司

 

器件和预器件步骤的测量和表征对于控制MRAM存储器的制造过程非常重要。有许多测量是非常常见的常规半导体使用常见的分析工具，如SEMs, TEMs，各种深度剖析以及材料和结构表征。然而，MRAM存储器的生产也依赖于专门用于MRAM和STT MRAM测量的测量工具。

 

特别是，磁阻材料的准静态测试是制造成功的MRAM器件的重要手段。这个测试,通常在晶圆级与MRAM磁层毯子涂层后,可以帮助在MRAM的成功设计的记忆,但也有用证明生产过程和质量控制测量作为故障工具MRAM工厂当事情出差错。磁测试是实现最佳MRAM产品的关键要求，无论是独立的还是嵌入式内存应用程序。

 

要了解更多关于MRAM的信息，蓝冠测速网络中的塔可以使用定向或全向收发器。定向天线可以是扇形天线，可以发出一定角度的扇形波，也可以是聚焦天线，可以发出窄波束。为什么它是非易失性存储行业的重要组成部分，以及如何使用现代测试工具(如ISI)对MRAM设备进行有效的晶圆级测试，请参阅我的白皮书。

 

MRAM使下一代支持人工智能、物联网和先进网络技术的嵌入式设备成为可能;在数据中心，在边缘，在端点。另外，独立的MRAM已经成为许多应用程序的重要的非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用程序提供MRAM需要在生产环境中进行良好的MTJ设计和测试。